的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，

  实现这一器件所采用的GaN外延材料结构包括1.5μm薄层缓冲层和AlGaN/GaN异质结结构。该外延结构由广东致能团队通过MOCVD方法在6英寸蓝宝石衬底上外延实现，其外延结构如图1所示。

  1.5 μm的GaN缓冲层拥有非常良好的晶体质量和均匀性，晶圆级方块电阻R□中值为342Ω/□，不均匀度为1.9 %。得益于绝缘的蓝宝石衬底，缓冲层垂直漏电通道被切断，外延/衬底界面处的横向寄生通道也被显著抑制。制备的LGD为30 μm的d - mode HEMT器件具有超过3000 V的高阻断电压（如图2）和17Ω·mm的低导通电阻。

  蓝宝石上的薄缓冲层GaN技术能明显降低外延和加工难度，减少相关成本，使GaN成为1700 V甚至更高电平应用的有力竞争者。

  蓝宝石衬底上高性能GaN HEMTs的成功展示和评估为马上就要来临的1700 V商用GaN器件提供了一个非常有前景的选择。1.5 μm的薄缓冲层表现出非常高的均匀性、出色的耐压能力和可忽略不计的电流崩塌。制备的GaN HEMT器件在3000 V以上兼顾了低RON和高VBD，并通过1700 V的长期HTRB应力初步验证了其鲁棒性。

  此外，高均匀性、廉价衬底、简单外延等优势势必会加速减少相关成本，推动GaN HEMT走向更广阔的应用领域。

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